Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.
BYG23M M2G
Αριθμός μέρους κατασκευαστή
BYG23M M2G
Κατασκευαστής
TSC (Taiwan Semiconductor)
Λεπτομερής περιγραφή
DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Πακέτο
DO-214AC (SMA)
Σε απόθεμα
1254508 pcs
Φύλλο δεδομένων
BYG23M
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς TSC (Taiwan Semiconductor).Έχουμε τα 1254508 κομμάτια του TSC (Taiwan Semiconductor) BYG23M M2G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
1.7V @ 1.5A
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
DO-214AC (SMA)
Ταχύτητα
Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά
-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
65ns
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση
DO-214AC, SMA
Αλλα ονόματα
BYG23M M2G-ND
BYG23MM2G
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
-55°C ~ 150°C
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος
Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time
19 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Diode Τύπος
Standard
Λεπτομερής περιγραφή
Diode Standard 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
1µA @ 1000V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
1.5A
Χωρητικότητα @ VR, F
15pF @ 4V, 1MHz
Συνιστώμενα προϊόντα
BYG22DHE3/TR3
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23M R3G
DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23MHE3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3/TR3
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M
DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M-M3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG22DHE3_A/I
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG22DHE3_A/H
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23M-M3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG22DHM3_A/I
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG22DHM3_A/H
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23M-E3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23M-E3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG22DHE3/TR
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23MH
65NS, 1.5A, 1000V, HIGH EFFICIEN
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG22DHM3/TR
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR3
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG23M M2G Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων